美光释出232层3D NAND闪存，相关固态硬盘明年问世

台积电母公司周四发布了业界首个带有 232 层的 3D NAND 存储器，该母公司原计划将其取而代之 232 层 3D NAND 产品主要用途各种产品，包括薄膜磁盘，并原计划在 2022 年内有数开始试作此类显卡。

相片来源：台积电 IT之家了解到，台积电的 232 层 3D NAND 存储器采用 3D TLC 框架，早期容量大为 1Tb（128GB）。该显卡基于台积电的 CuA 框架，并使用 NAND codice_堆技术开发，在彼此的下部建立两个 3D NAND 阵列。

CuA 设计加上 232 层 NAND，将大大减少台积电 1Tb 3D TLC NAND 存储器的显卡尺寸，这有望小型化成本，使台积电能够对采用这些显卡的电子系统进行愈来愈有经济效益的定价，或者减小其利润率。

台积电不会宣告其取而代之 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面比例，但暗示与现有的 3D NAND 电子系统相对于，取而代之文件系统将提供愈来愈高的效率，这对采用 PCIe 5.0 接口的新世代 SSD 特别有用。

谈到薄膜磁盘，台积电的技术开发和产品执行总裁 Scott DeBoer 指出，该母公司已经与之外和第三方 NAND 控制器（主要用途薄膜磁盘和其他基于 NAND 的存储电子系统）的开发人员共同努力，以构建对新型文件系统的支持者。

相片来源：台积电 在其 232 层 3D TLC NAND 的其他绝对优势中会，台积电还提到与上一代节点相对于效能愈来愈低。

考虑到台积电将在 2022 年年内开始生产线 232 层 3D TLC NAND 电子系统，原计划采用新文件系统的薄膜磁盘将在 2023 年有数到来。

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